IXFP8N85XM, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 850В, 8А, 33Вт, TO220FP, 125нс

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFP8N85XM
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
Основные
вес, г2.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
610
+
Бонус: 12.2 !
Бонусная программа
Итого: 610
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
Основные
вес, г2.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
время нарастания25 ns
время спада23 ns
коммерческое обозначениеHiPerFET
pd - рассеивание мощности33 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки8 A
qg - заряд затвора17 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток850 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток850 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.2.7 S
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения32 ns
типичное время задержки при включении15 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль