IXFP7N80P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 800В, 7А, 200Вт, TO220AB

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Подробное описание

Основные
вес, г	3
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

Все характеристики

810 ₽

– +

Бонус: 16.2 !

Бонусная программа

Итого: 810 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	3
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	-55 °C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	IXFP7N80
длина	10.66 mm
время нарастания	32 ns
время спада	24 ns
коммерческое обозначение	Polar, HiperFET
тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
length	10.66мм
package type	TO-220
pin count	3
maximum operating temperature	+150 °C
series	HiperFET, Polar
pd - рассеивание мощности	200 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
количество элементов на ис	1
максимальное рассеяние мощности	200 Вт
конфигурация	Single
channel type	N
transistor configuration	Одинарный
id - непрерывный ток утечки	7 A
qg - заряд затвора	32 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	1.44 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	5 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	55 ns
типичное время задержки при включении	28 ns
максимальное сопротивление сток-исток	1,44 Ω
максимальное напряжение затвор-исток	-30 В, +30 В
maximum continuous drain current	7 А
maximum gate threshold voltage	5V
максимальное напряжение сток-исток	800 В
channel mode	Поднятие
материал транзистора	Кремний
typical gate charge @ vgs	32 нКл при 10 В
Высота	9.15 мм
Тип	Polar HiPerFET Power MOSFET
Ширина	4.83 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки