IXFP4N85XM, Транзистор: N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 3,5А, Idm: 10А, 35Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFP4N85XM
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 850V 3.5A (Tc) 35W (Tc) сквозное отверстие TO-220
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
550
+
Бонус: 11 !
Бонусная программа
Итого: 550
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 850V 3.5A (Tc) 35W (Tc) сквозное отверстие TO-220
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220
california prop 65Warning Information
seriesHiPerFETв„ў ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c3.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)850V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs7nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds247pF @ 25V
power dissipation (max)35W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5.5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль