IXFP36N20X3M, Транзистор: N-MOSFET, X3-Class, полевой, 200В, 36А, 36Вт, TO220FP, 75с

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFP36N20X3M
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
740
+
Бонус: 14.8 !
Бонусная программа
Итого: 740
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220 Isolated Tab
время нарастания30 ns
время спада20 ns
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеHiPerFET
seriesHiPerFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности36 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки36 A
qg - заряд затвора21 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток45 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.16 S
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения54 ns
типичное время задержки при включении19 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c36A (Tc)
drain to source voltage (vdss)200V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs21nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1425pF @ 25V
power dissipation (max)36W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs45mOhm @ 18A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 500ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль