IXFP30N25X3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 30А, 170Вт, TO220-3, 82нс

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44

Подробное описание

Основные
вес, г	3
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Все характеристики

1 140 ₽

– +

Бонус: 22.8 !

Бонусная программа

Итого: 1 140 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	3
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-220-3
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	HiPerFET
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-220
время нарастания	25 ns
время спада	12 ns
california prop 65	Warning Information
коммерческое обозначение	HiPerFET
series	HiPerFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности	390 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
technology	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	130 A
qg - заряд затвора	80 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	150 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	80 nC
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	62 ns
типичное время задержки при включении	21 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	30A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	250V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	21nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	1450pF @ 25V
power dissipation (max)	176W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	60mOhm @ 15A, 10V
vgs (max)	В±20V
vgs(th) (max) @ id	4.5V @ 500ВµA

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

C этим товаром покупают

Быстрый просмотр

NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]

Быстрый просмотр

Транзистор КТ712А, тип PNP, 75 Вт, корпус TO-220

Быстрый просмотр

IXFP30N25X3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 30А, 170Вт, TO220-3, 82нс

C этим товаром покупают

Похожие товары Сравнить все