IXFP20N85X, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 850В, 20А, 540Вт, TO220-3, 190нс

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 850V Ultra Junction X-Class Pwr МОП-транзистор

Подробное описание

Основные
вес, г	3
package / case	TO-220-3
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор

Все характеристики

1 440 ₽

– +

Бонус: 28.8 !

Бонусная программа

Итого: 1 440 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	3
package / case	TO-220-3
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
время нарастания	28 ns
время спада	20 ns
коммерческое обозначение	HiPerFET
minimum operating temperature	-55 C
factory pack quantity	50
manufacturer	IXYS
maximum operating temperature	+150 C
mounting style	Through Hole
packaging	Tube
product category	MOSFET
product type	MOSFET
series	X-Class
subcategory	MOSFETs
pd - рассеивание мощности	540 W
количество каналов	1 Channel
configuration	Single
fall time	20 ns
rise time	28 ns
number of channels	1 Channel
Вес и габариты
tradename	HiPerFET
технология	Si
конфигурация	Single
technology	Si
pd - power dissipation	540 W
id - непрерывный ток утечки	20 A
qg - заряд затвора	63 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	330 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	850 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.5 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	6 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	44 ns
типичное время задержки при включении	20 ns
channel mode	Enhancement
rds on - drain-source resistance	330 mOhms
transistor polarity	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	850 V
vgs - gate-source voltage	30 V
id - continuous drain current	20 A
typical turn-on delay time	20 ns
typical turn-off delay time	44 ns
forward transconductance - min	6 S
qg - gate charge	63 nC
transistor type	1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	3.5 V

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки