IXFP16N50P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 16А, 300Вт, TO220-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFP16N50P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 500V 16A
Основные
вес, г2.77
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
860
+
Бонус: 17.2 !
Бонусная программа
Итого: 860
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 500V 16A
Основные
вес, г2.77
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияIXFP16N50
длина10.66 mm
время нарастания25 ns
время спада22 ns
коммерческое обозначениеHyperFET
pd - рассеивание мощности300 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки16 A
rds вкл - сопротивление сток-исток400 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.16 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения70 ns
типичное время задержки при включении23 ns
Высота 9.15 мм
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль