IXFP130N10T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 130А, 360Вт, TO220-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFP130N10T2
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 100V 130A (Tc) 360W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
920
+
Бонус: 18.4 !
Бонусная программа
Итого: 920
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 100V 130A (Tc) 360W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Основные
вес, г3
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220AB
california prop 65Warning Information
seriesGigaMOSв„ў, HiPerFETв„ў, TrenchT2в„ў ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c130A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs130nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds6600pF @ 25V
power dissipation (max)360W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs9.1mOhm @ 65A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 1mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль