IXFP12N50P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 12А, 200Вт, TO220-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFP12N50P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS
Информация о производителе
ПроизводительIXYS
Основные
вес, г3
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
720
+
Бонус: 14.4 !
Бонусная программа
Итого: 720
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS
Информация о производителе
ПроизводительIXYS
Основные
вес, г3
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
серияHiperFET, Polar
длина10.66мм
тип корпусаTO-220
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
число контактов3
размеры10.66 x 4.83 x 9.15мм
Вес и габариты
количество элементов на ис1
максимальное рассеяние мощности200 W
тип каналаN
transistor configurationОдинарный
типичное время задержки выключения65 нс
максимальное сопротивление сток-исток500 мОм
максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
maximum gate threshold voltage5.5V
максимальное напряжение сток-исток500 V
типичный заряд затвора при vgs29 nC @ 10 V
номер каналаПоднятие
максимальный непрерывный ток стока12 A
материал транзистораКремний
типичное время задержки включения22 ns
категорияМощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds1830 пФ при 25 В
Высота 9.15 мм
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль