IXFL82N60P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 55А, 625Вт, ISOPLUS264™

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFL82N60P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds
Основные
вес, г8
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
6 390
+
Бонус: 127.8 !
Бонусная программа
Итого: 6 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds
Основные
вес, г8
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки25
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264-3
серияIXFL82N60
длина20.29 mm
время нарастания23 ns
время спада24 ns
коммерческое обозначениеHiPerFET
pd - рассеивание мощности625 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки82 A
qg - заряд затвора240 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток78 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.50 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения79 ns
типичное время задержки при включении28 ns
Высота 26.42 мм
ТипPolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264
Ширина5.21 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль