IXFL38N100P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 29А, 520Вт, ISOPLUS i5-pac™

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFL38N100P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 38 Amps 1000V 0.21 Rds
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
6 900
+
Бонус: 138 !
Бонусная программа
Итого: 6 900
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 38 Amps 1000V 0.21 Rds
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки25
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264-3
серияIXFL38N100
длина20.29 mm
время нарастания55 ns
время спада40 ns
коммерческое обозначениеHyperFET
pd - рассеивание мощности520 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки29 A
rds вкл - сопротивление сток-исток230 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток1 kV
vgs - напряжение затвор-исток30 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения71 ns
типичное время задержки при включении74 ns
Высота 26.42 мм
Ширина5.21 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль