IXFK94N50P2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 94А, 1300Вт, TO264

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFK94N50P2
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор PolarP2 Power МОП-транзистор
Основные
вес, г10
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
4 080
+
Бонус: 81.6 !
Бонусная программа
Итого: 4 080
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор PolarP2 Power МОП-транзистор
Основные
вес, г10
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-264-3, TO-264AA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки25
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXFK94N50
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-264AA (IXFK)
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеHiPerFET
seriesHiPerFETв„ў, PolarHVв„ў ->
pd - рассеивание мощности1.3 kW
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки94 A
qg - заряд затвора228 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток55 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c94A (Tc)
drain to source voltage (vdss)500V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs220nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds13700pF @ 25V
power dissipation (max)1300W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs55mOhm @ 500mA, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5V @ 8mA
ТипPolarP2 HiPerFET
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль