IXFK200N10P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 200А, 830Вт, TO264

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFK200N10P
N-канал 100V 200A (Tc) 830W (Tc) сквозное отверстие TO-264AA (IXFK)
Основные
вес, г10
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
3 500
+
Бонус: 70 !
Бонусная программа
Итого: 3 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канал 100V 200A (Tc) 830W (Tc) сквозное отверстие TO-264AA (IXFK)
Основные
вес, г10
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageBulk
package / caseTO-264-3, TO-264AA
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-264AA (IXFK)
california prop 65Warning Information
seriesHiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c200A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs235nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds7600pF @ 25V
power dissipation (max)830W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs7.5mOhm @ 100A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id5V @ 8mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль