IXFK170N20P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 200В, 170А, 1250Вт, TО264

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFK170N20P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 170 Amps 200V 0.014 Rds
Основные
вес, г10
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
3 270
+
Бонус: 65.4 !
Бонусная программа
Итого: 3 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 170 Amps 200V 0.014 Rds
Основные
вес, г10
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки25
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264-3
серияIXFK170N20
длина20.29 mm
время нарастания25 ns
время спада14 ns
коммерческое обозначениеPolar, HiperFET
pd - рассеивание мощности1.25 kW
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки170 A
qg - заряд затвора185 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток14 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.45 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения50 ns
типичное время задержки при включении40 ns
Высота 26.59 мм
ТипPolar Power MOSFET HiPerFET
Ширина5.31 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль