IXFJ26N50P3, Транзистор: N-MOSFET, Polar3™, полевой, 500В, 14А, Idm: 78А, 180Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFJ26N50P3
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор MSFT N-CH HIPERFET-POLAR3
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
4 170
+
Бонус: 83.4 !
Бонусная программа
Итого: 4 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор MSFT N-CH HIPERFET-POLAR3
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247
время нарастания7 ns
время спада5 ns
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеHiPerFET
seriesHiPerFETв„ў, Polar3в„ў ->
pd - рассеивание мощности180 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки14 A
qg - заряд затвора42 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток295 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.14 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения38 ns
типичное время задержки при включении21 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c14A (Tc)
drain to source voltage (vdss)500V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs42nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds2220pF @ 25V
power dissipation (max)180W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs265mOhm @ 13A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5V @ 4mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль