IXFH88N30P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 88А, 600Вт, TO247-3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFH88N30P
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS
| Информация о производителе | |
| Производитель | IXYS |
| Основные | |
| вес, г | 6 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-247-3 |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 30 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | IXYS |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-247-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | HiperFET, Polar |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | TO-247AD (IXFH) |
| длина | 16.26мм |
| время нарастания | 24 ns |
| время спада | 25 ns |
| california prop 65 | Warning Information |
| коммерческое обозначение | HiPerFET |
| тип корпуса | TO-247 |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| число контактов | 3 |
| размеры | 16.26 x 5.3 x 21.46мм |
| series | HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў -> |
| pd - рассеивание мощности | 600 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| количество элементов на ис | 1 |
| максимальное рассеяние мощности | 600 W |
| конфигурация | Single |
| тип канала | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| transistor configuration | Одинарный |
| id - непрерывный ток утечки | 88 A |
| qg - заряд затвора | 180 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 40 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 96 ns |
| типичное время задержки при включении | 25 ns |
| максимальное сопротивление сток-исток | 40 мΩ |
| максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| maximum gate threshold voltage | 5 |
| максимальное напряжение сток-исток | 300 В |
| типичный заряд затвора при vgs | 180 nC @ 10 V |
| номер канала | Поднятие |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 88A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 300V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 180nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 6300pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 600W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 40mOhm @ 44A, 10V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs(th) (max) @ id | 5V @ 4mA |
| максимальный непрерывный ток стока | 88 A |
| материал транзистора | Кремний |
| типичное время задержки включения | 25 ns |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| типичная входная емкость при vds | 6300 пФ при 25 В |
| Высота | 21.46 мм |
| Тип | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Ширина | 5.3 мм |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
