IXFH88N30P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 300В, 88А, 600Вт, TO247-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFH88N30P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS
Информация о производителе
ПроизводительIXYS
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
2 870
+
Бонус: 57.4 !
Бонусная программа
Итого: 2 870
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS
Информация о производителе
ПроизводительIXYS
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияHiperFET, Polar
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247AD (IXFH)
длина16.26мм
время нарастания24 ns
время спада25 ns
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеHiPerFET
тип корпусаTO-247
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
число контактов3
размеры16.26 x 5.3 x 21.46мм
seriesHiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->
pd - рассеивание мощности600 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
количество элементов на ис1
максимальное рассеяние мощности600 W
конфигурацияSingle
тип каналаN
technologyMOSFET (Metal Oxide)
transistor configurationОдинарный
id - непрерывный ток утечки88 A
qg - заряд затвора180 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток40 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток300 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.40 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения96 ns
типичное время задержки при включении25 ns
максимальное сопротивление сток-исток40 мΩ
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
maximum gate threshold voltage5
максимальное напряжение сток-исток300 В
типичный заряд затвора при vgs180 nC @ 10 V
номер каналаПоднятие
current - continuous drain (id) @ 25в°c88A (Tc)
drain to source voltage (vdss)300V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs180nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds6300pF @ 25V
power dissipation (max)600W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs40mOhm @ 44A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id5V @ 4mA
максимальный непрерывный ток стока88 A
материал транзистораКремний
типичное время задержки включения25 ns
категорияМощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds6300 пФ при 25 В
Высота 21.46 мм
ТипPolar HiPerFET Power MOSFET
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль