IXFH20N80P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 20А; 500Вт; TO247-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFH20N80P
IXFH20N80P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 20А; 500Вт; TO247-3
Вес и габариты
вес, г6.095
Основные
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c20A (Tc)
1 410
+
Бонус: 28.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 410
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канал 800V 20A (Tc) 500W (Tc) сквозное отверстие TO-247AD (IXFH)
Вес и габариты
вес, г6.095
Основные
california prop 65Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c20A (Tc)
drain to source voltage (vdss)800V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs86nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds4685pF @ 25V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
power dissipation (max)500W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs520mOhm @ 10A, 10V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesHiPerFETв„ў, PolarHTв„ў ->
supplier device packageTO-247AD (IXFH)
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5V @ 4mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль