IXFH18N100Q3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 18А, 830Вт, TO247-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFH18N100Q3
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 1000V/18A
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
3 600
+
Бонус: 72 !
Бонусная программа
Итого: 3 600
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор Q3Class HiPerFET Pwr МОП-транзистор 1000V/18A
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIXFH18N100
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-247AD (IXFH)
время нарастания33 ns
время спада13 ns
california prop 65Warning Information
коммерческое обозначениеHyperFET
seriesHiPerFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности830 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки18 A
qg - заряд затвора90 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток660 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток1 kV
vgs - напряжение затвор-исток30 V
крутизна характеристики прямой передачи - мин.16 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения40 ns
типичное время задержки при включении37 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c18A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1000V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs90nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds4890pF @ 25V
power dissipation (max)830W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs660mOhm @ 9A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id6.5V @ 4mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль