IXFH15N100Q3, Транзистор

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFH15N100Q3
IXFH15N100Q3, Транзистор
Вес и габариты
вес, г6.12
Высота 16.26 мм
Основные
длина16.26мм
2 070
+
Бонус: 41.4 !
Бонусная программа
Итого: 2 070
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канальный силовой МОП-транзистор IXYS HiperFET ™ серии Q3 Силовые МОП-транзисторы HiperFET ™ класса IXYS Q3 подходят как для жесткого переключения, так и для приложений в резонансном режиме и обеспечивают низкий заряд затвора при исключительной прочности. Устройства включают в себя быстрый внутренний диод и доступны во множестве стандартных корпусов, включая изолированные типы, с номиналами до 1100 В и 70 А. Типичные области применения включают преобразователи постоянного тока в постоянный, зарядные устройства, импульсные и резонансные источники питания, прерыватели постоянного тока, управление температурой и освещением.
Вес и габариты
вес, г6.12
Высота 16.26 мм
Основные
длина16.26мм
количество элементов на ис1
конфигурация транзистораОдинарный
максимальное напряжение сток-исток1000 В
максимальное напряжение затвор-исток-30 В, +30 В
максимальное рассеяние мощности690 Вт
maximum continuous drain current15 A
maximum drain source resistance1,05 Ω
maximum gate threshold voltage6.5V
maximum operating temperature+150 °C
minimum operating temperature-55 °C
mounting typeМонтаж на плату в отверстия
номер каналаПоднятие
pin count3
seriesHiperFET, Q3-Class
типичный заряд затвора при vgs64 нКл при 10 В
тип каналаN
тип корпусаTO-247
transistor materialКремний
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль