IXFH150N20T, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 150А, 890Вт, TO247-3, 100нс

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор Trench HiperFETs Power МОП-транзисторs

Подробное описание

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

Все характеристики

3 740 ₽

– +

Бонус: 74.8 !

Бонусная программа

Итого: 3 740 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	30
тип продукта	MOSFET
торговая марка	IXYS
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	IXFH150N20
коммерческое обозначение	HiPerFET
pd - рассеивание мощности	890 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	150 A
qg - заряд затвора	177 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	15 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	200 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки