Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор Trench HiperFETs Power МОП-транзисторs
Основные
вес, г
6
вид монтажа
Through Hole
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
30
тип продукта
MOSFET
торговая марка
IXYS
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-247-3
серия
IXFH150N20
коммерческое обозначение
HiPerFET
pd - рассеивание мощности
890 W
количество каналов
1 Channel
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
id - непрерывный ток утечки
150 A
qg - заряд затвора
177 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
15 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
200 V
vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
канальный режим
Enhancement
полярность транзистора
N-Channel
тип транзистора
1 N-Channel
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26