IXFH120N25X3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
3 830
+
Бонус: 76.6 !
Бонусная программа
Итого: 3 830
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
время нарастания32 ns
время спада12 ns
коммерческое обозначениеHiPerFET
pd - рассеивание мощности480 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки120 A
qg - заряд затвора122 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток12 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток250 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.54 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения100 ns
типичное время задержки при включении29 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль