IXFH110N10P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 110А, 480Вт, TO247-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFH110N10P
МОП-транзистор 110 Amps 100V 0.015 Rds
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
1 470
+
Бонус: 29.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 470
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 110 Amps 100V 0.015 Rds
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияIXFH110N10P
длина16.26 mm
время нарастания25 ns
время спада25 ns
коммерческое обозначениеPolarHT, HiPerFET
pd - рассеивание мощности480 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки110 A
qg - заряд затвора110 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток15 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.30 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения65 ns
типичное время задержки при включении21 ns
Высота 21.46 мм
ТипPolarHT HiPerFET Power MOSFET
Ширина5.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль