IXFB170N30P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 300В, 170А, 1250Вт, PLUS264™

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFB170N30P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор Polar Power МОП-транзистор HiPerFET
Основные
вес, г10
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
5 890
+
Бонус: 117.8 !
Бонусная программа
Итого: 5 890
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор Polar Power МОП-транзистор HiPerFET
Основные
вес, г10
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки25
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокPLUS-264-3
серияIXFB170N30
длина20.29 mm
время нарастания29 ns
время спада16 ns
коммерческое обозначениеPolar, HiperFET
pd - рассеивание мощности1.25 kW
Вес и габариты
технологияSi
id - непрерывный ток утечки170 A
qg - заряд затвора258 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток18 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток300 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.57 S
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения79 ns
типичное время задержки при включении41 ns
Высота 26.59 мм
ТипPolar Power MOSFET HiPerFET
Ширина5.31 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль