IXFA7N80P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 800В, 7А, 200Вт, TO263, 250нс

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFA7N80P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор 7 Amps 800V 1.44 Rds
Основные
вес, г2.5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
660
+
Бонус: 13.2 !
Бонусная программа
Итого: 660
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор 7 Amps 800V 1.44 Rds
Основные
вес, г2.5
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаIXYS
упаковкаTube
упаковка / блокTO-263-3
серияIXFA7N80P
длина10.41 mm
время нарастания32 ns
время спада24 ns
коммерческое обозначениеHiPerFET
pd - рассеивание мощности200 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки7 A
qg - заряд затвора32 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.4 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения55 ns
типичное время задержки при включении28 ns
Высота 4.83 мм
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль