IXFA10N80P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 10А, 300Вт, TO263

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IXFA10N80P
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 800V 10A (Tc) 300W (Tc) поверхностный монтаж TO-263 (IXFA)
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
800
+
Бонус: 16 !
Бонусная программа
Итого: 800
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDN-канал 800V 10A (Tc) 300W (Tc) поверхностный монтаж TO-263 (IXFA)
Основные
вес, г2.5
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-263 (IXFA)
california prop 65Warning Information
seriesHiPerFETв„ў, PolarHTв„ў ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c10A (Tc)
drain to source voltage (vdss)800V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs40nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds2050pF @ 25V
power dissipation (max)300W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs1.1Ohm @ 5A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5.5V @ 2.5mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль