IRLU8743PBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 160А, IPAK
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRLU8743PBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl
Информация о производителе | |
Производитель | Infineon |
Основные | |
вес, г | 0.46 |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting type | Through Hole |
operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
package | Tube |
package / case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
rohs status | ROHS3 Compliant |
вид монтажа | Through Hole |
категория продукта | МОП-транзистор |
максимальная рабочая температура | +175 °C |
минимальная рабочая температура | -55 °C |
подкатегория | MOSFETs |
размер фабричной упаковки | 3000 |
тип продукта | MOSFET |
торговая марка | Infineon / IR |
упаковка | Tube |
упаковка / блок | TO-251-3 |
eccn | EAR99 |
htsus | 8541.29.0095 |
серия | HEXFET |
reach status | REACH Unaffected |
supplier device package | IPAK (TO-251) |
длина | 6.73мм |
тип корпуса | IPAK (TO-251) |
тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
число контактов | 3 |
размеры | 6.73 x 2.39 x 6.22мм |
series | HEXFETВ® -> |
pd - рассеивание мощности | 135 W |
количество каналов | 1 Channel |
base product number | IRLU8743 -> |
Вес и габариты | |
технология | Si |
количество элементов на ис | 1 |
максимальное рассеяние мощности | 135 W |
конфигурация | Single |
тип канала | N |
technology | MOSFET (Metal Oxide) |
transistor configuration | Одинарный |
id - непрерывный ток утечки | 160 A |
qg - заряд затвора | 59 nC |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 3.9 mOhms |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
канальный режим | Enhancement |
полярность транзистора | N-Channel |
тип транзистора | 1 N-Channel |
типичное время задержки выключения | 21 ns |
максимальное сопротивление сток-исток | 3 мОм |
максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
maximum gate threshold voltage | 2.35V |
максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
типичный заряд затвора при vgs | 39 nC @ 4.5 V |
номер канала | Поднятие |
current - continuous drain (id) @ 25в°c | 160A (Tc) |
drain to source voltage (vdss) | 30V |
drive voltage (max rds on, min rds on) | 4.5V, 10V |
fet type | N-Channel |
gate charge (qg) (max) @ vgs | 59nC @ 4.5V |
input capacitance (ciss) (max) @ vds | 4880pF @ 15V |
power dissipation (max) | 135W (Tc) |
rds on (max) @ id, vgs | 3.1mOhm @ 25A, 10V |
vgs (max) | В±20V |
vgs(th) (max) @ id | 2.35V @ 100ВµA |
максимальный непрерывный ток стока | 160 A |
материал транзистора | SI |
типичное время задержки включения | 19 ns |
minimum gate threshold voltage | 1.35V |
категория | Мощный МОП-транзистор |
типичная входная емкость при vds | 4880 пФ при 15 В |
Высота | 6.22 мм |
Ширина | 2.39 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26