IRLU8743PBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 160А, IPAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRLU8743PBF
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl
Infineon
Информация о производителе
ПроизводительInfineon
Основные
вес, г0.46
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
330
+
Бонус: 6.6 !
Бонусная программа
Итого: 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl
Информация о производителе
ПроизводительInfineon
Основные
вес, г0.46
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+175 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаInfineon / IR
упаковкаTube
упаковка / блокTO-251-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияHEXFET
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageIPAK (TO-251)
длина6.73мм
тип корпусаIPAK (TO-251)
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
число контактов3
размеры6.73 x 2.39 x 6.22мм
seriesHEXFETВ® ->
pd - рассеивание мощности135 W
количество каналов1 Channel
base product numberIRLU8743 ->
Вес и габариты
технологияSi
количество элементов на ис1
максимальное рассеяние мощности135 W
конфигурацияSingle
тип каналаN
technologyMOSFET (Metal Oxide)
transistor configurationОдинарный
id - непрерывный ток утечки160 A
qg - заряд затвора59 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток3.9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.8 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения21 ns
максимальное сопротивление сток-исток3 мОм
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
maximum gate threshold voltage2.35V
максимальное напряжение сток-исток30 V
типичный заряд затвора при vgs39 nC @ 4.5 V
номер каналаПоднятие
current - continuous drain (id) @ 25в°c160A (Tc)
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs59nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds4880pF @ 15V
power dissipation (max)135W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs3.1mOhm @ 25A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id2.35V @ 100ВµA
максимальный непрерывный ток стока160 A
материал транзистораSI
типичное время задержки включения19 ns
minimum gate threshold voltage1.35V
категорияМощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds4880 пФ при 15 В
Высота 6.22 мм
Ширина2.39 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль