IRLR120TRPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 4,9А, 42Вт, DPAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRLR120TRPBF
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор N-Chan 100V 7.7 Amp
Основные
вес, г1.5
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2000
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор N-Chan 100V 7.7 Amp
Основные
вес, г1.5
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
pin count3
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
automotiveNo
eu rohsCompliant with Exemption
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusActive
pcb changed2
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)2500
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
hts8541.29.00.95
package height2.39(Max)
package length6.73(Max)
package width6.22(Max)
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
channel typeN
tabTab
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)7.7
maximum drain source resistance (mohm)270@5V
maximum drain source voltage (v)100
maximum gate source leakage current (na)100
maximum gate source voltage (v)±10
maximum gate threshold voltage (v)2
maximum idss (ua)25
typical fall time (ns)27
typical gate charge @ vgs (nc)12(Max)@5V
typical input capacitance @ vds (pf)490@25V
typical rise time (ns)64
typical turn-off delay time (ns)21
typical turn-on delay time (ns)9.8
militaryNo
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль