IRFP150MPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 42А, 160Вт, TO247AC
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFP150MPBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC
| Основные | |
| вес, г | 6.16 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-247-3 |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 400 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Infineon / IR |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-247-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | TO-247AC |
| длина | 15.87 mm |
| series | HEXFETВ® -> |
| pd - рассеивание мощности | 160 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| base product number | IRFP150 -> |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| id - непрерывный ток утечки | 42 A |
| qg - заряд затвора | 110 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 36 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 42A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 100V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 110nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 1900pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 160W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 36mOhm @ 23A, 10V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| rds on - drain-source resistance | 36mО© @ 23A,10V |
| transistor polarity | N Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 100V |
| vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 42A |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 160W |
| Высота | 20.7 мм |
| Ширина | 5.31 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
