Вес и габариты | |
Высота | 21.1 мм |
Информация о производителе | |
Производитель | Infineon |
Основные | |
base product number | IRFP150 -> |
channel mode | Поднятие |
число контактов | 3 |
continuous drain current (id) @ 25в°c | 42A |
current - continuous drain (id) @ 25в°c | 42A (Tc) |
длина | 16.13мм |
drain to source voltage (vdss) | 100V |
drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
eccn | EAR99 |
fet type | N-Channel |
gate charge (qg) (max) @ vgs | 110nC @ 10V |
htsus | 8541.29.0095 |
id - непрерывный ток утечки | 42 A |
input capacitance (ciss) (max) @ vds | 1900pF @ 25V |
канальный режим | Enhancement |
категория | Мощный МОП-транзистор |
категория продукта | МОП-транзистор |
количество элементов на ис | 1 |
количество каналов | 1 Channel |
конфигурация | Single |
length | 16.13mm |
максимальная рабочая температура | +175 °C |
максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
максимальное рассеяние мощности | 160 Вт |
максимальное сопротивление сток-исток | 36 мΩ |
максимальный непрерывный ток стока | 42 А |
материал транзистора | Кремний |
maximum continuous drain current | 42 A |
maximum drain source resistance | 36 mΩ |
maximum drain source voltage | 100 В |
maximum gate threshold voltage | 4V |
maximum operating temperature | +175 °C |
maximum power dissipation | 160 Вт |
минимальная рабочая температура | -55 °C |
minimum gate threshold voltage | 2V |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting type | Through Hole |
номер канала | Поднятие |
operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
package | Tube |
package / case | TO-247-3 |
package type | TO-247AC |
pd - рассеивание мощности | 160 W |
pin count | 3 |
подкатегория | MOSFETs |
полярность транзистора | N-Channel |
power dissipation (max) | 160W (Tc) |
power dissipation-max (ta=25в°c) | 160W |
qg - заряд затвора | 110 nC |
размеры | 16.13 x 5.2 x 21.1мм |
размер фабричной упаковки | 400 |
rds on - drain-source resistance | 36mО© @ 23A,10V |
rds on (max) @ id, vgs | 36mOhm @ 23A, 10V |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 36 mOhms |
reach status | REACH Unaffected |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | HEXFET |
серия | HEXFET |
supplier device package | TO-247AC |
technology | MOSFET (Metal Oxide) |
технология | Si |
типичная входная емкость при vds | 1900 pF @ 25 V |
типичное время задержки включения | 11 ns |
типичное время задержки выключения | 45 ns |
типичный заряд затвора при vgs | 110 нКл при 10 В |
тип канала | N |
тип корпуса | TO-247AC |
тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
тип продукта | MOSFET |
тип транзистора | 1 N-Channel |
торговая марка | Infineon / IR |
transistor configuration | Одинарный |
transistor material | Кремний |
transistor polarity | N Channel |
typical gate charge @ vgs | 110 нКл при 10 В |
упаковка | Tube |
упаковка / блок | TO-247-3 |
vds - drain-source breakdown voltage | 100V |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
vgs (max) | В±20V |
vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
вид монтажа | Through Hole |
Ширина | 5.2 мм |
width | 5.2мм |