| Вес и габариты | |
| Высота | 21.1 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Infineon |
| Основные | |
| base product number | IRFP150 -> |
| channel mode | Поднятие |
| число контактов | 3 |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 42A |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 42A (Tc) |
| длина | 16.13мм |
| drain to source voltage (vdss) | 100V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 110nC @ 10V |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 42 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 1900pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 1 |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| length | 16.13mm |
| максимальная рабочая температура | +175 °C |
| максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| максимальное рассеяние мощности | 160 Вт |
| максимальное сопротивление сток-исток | 36 мΩ |
| максимальный непрерывный ток стока | 42 А |
| материал транзистора | Кремний |
| maximum continuous drain current | 42 A |
| maximum drain source resistance | 36 mΩ |
| maximum drain source voltage | 100 В |
| maximum gate threshold voltage | 4V |
| maximum operating temperature | +175 °C |
| maximum power dissipation | 160 Вт |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| minimum gate threshold voltage | 2V |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| номер канала | Поднятие |
| operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-247-3 |
| package type | TO-247AC |
| pd - рассеивание мощности | 160 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 160W (Tc) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 160W |
| qg - заряд затвора | 110 nC |
| размеры | 16.13 x 5.2 x 21.1мм |
| размер фабричной упаковки | 400 |
| rds on - drain-source resistance | 36mО© @ 23A,10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 36mOhm @ 23A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 36 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | HEXFET |
| серия | HEXFET |
| supplier device package | TO-247AC |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичная входная емкость при vds | 1900 pF @ 25 V |
| типичное время задержки включения | 11 ns |
| типичное время задержки выключения | 45 ns |
| типичный заряд затвора при vgs | 110 нКл при 10 В |
| тип канала | N |
| тип корпуса | TO-247AC |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon / IR |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor material | Кремний |
| transistor polarity | N Channel |
| typical gate charge @ vgs | 110 нКл при 10 В |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-247-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 100V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| Ширина | 5.2 мм |
| width | 5.2мм |
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
