IRFI840GLCPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2,9А, 40Вт, TO220FP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFI840GLCPBF
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал, 500 В, 4,5 А (Tc), 40 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-220-3
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
360
+
Бонус: 7.2 !
Бонусная программа
Итого: 360
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал, 500 В, 4,5 А (Tc), 40 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-220-3
Основные
вес, г2
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageTO-220-3
base product numberIRFI840 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c4.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)500V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs39nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1100pF @ 25V
power dissipation (max)40W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs850mOhm @ 2.7A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль