IRFI830GPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 2А, 35Вт, TO220FP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFI830GPBF
МОП-транзистор RECOMMENDED ALT 844-IRFI830G
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор RECOMMENDED ALT 844-IRFI830G
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияIRFI
pd - рассеивание мощности35 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки3.1 A
qg - заряд затвора38 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль