Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор N-Chan 800V 4.1 Amp

Подробное описание

450 ₽

– +

Бонус: 9 !

Бонусная программа

Итого: 450 ₽

Купить

Основные
вес, г	2
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-263-3
серия	IRFBE
длина	10.67 mm
pin count	3
product category	Power MOSFET
automotive	No
eu rohs	Compliant with Exemption
maximum operating temperature (°c)	150
mounting	Surface Mount
part status	Active
pcb changed	2
standard package name	TO-263
supplier package	D2PAK
eccn (us)	EAR99
maximum power dissipation (mw)	125000
minimum operating temperature (°c)	-55
configuration	Single
hts	8542.39.00.01
package height	4.83(Max)
package length	10.41(Max)
package width	9.65(Max)
Вес и габариты
технология	Si
number of elements per chip	1
channel type	N
tab	Tab
channel mode	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	4.1
maximum drain source resistance (mohm)	3000@10V
maximum drain source voltage (v)	800
maximum gate source voltage (v)	±20
typical fall time (ns)	30
typical gate charge @ 10v (nc)	78(Max)
typical gate charge @ vgs (nc)	78(Max)@10V
typical input capacitance @ vds (pf)	1300@25V
typical rise time (ns)	33
typical turn-off delay time (ns)	82
typical turn-on delay time (ns)	12
military	No
Высота	4.83 мм
Ширина	9.65 мм

Отзывов нет

Кнопки