IRFB7537PBF

Подробное описание

Вес и габариты
вес, г	2.89
Основные
configuration	Single
другие названия товара №:	IRFB7537PBF SP001570828

Все характеристики

210 ₽

– +

Бонус: 4.2 !

Бонусная программа

Итого: 210 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220AB, инфо: Транзистор полевой N-канальный 60В 173A Силовые полевые МОП-транзисторы StrongIRFET ™ Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon StrongIRFET ™ оптимизировано для работы с низким R DS (включено) и высоким током. Эти устройства идеально подходят для низкочастотных приложений, требующих высокой производительности и надежности. Эти полевые МОП-транзисторы обладают самой высокой пропускной способностью по току в отрасли. Эта особенность приводит к повышенной устойчивости и надежности для приложений с высокой удельной мощностью, требующих высокой эффективности и надежности.

Вес и габариты
вес, г	2.89
Основные
configuration	Single
другие названия товара №:	IRFB7537PBF SP001570828
factory pack quantity	1000
fall time	84 ns
forward transconductance - min	190 S
id - continuous drain current	173 A
id - непрерывный ток утечки:	173 A
канальный режим:	Enhancement
категория продукта:	МОП-транзистор
количество каналов:	1 Channel
коммерческое обозначение:	StrongIRFET
конфигурация:	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.:	190 S
максимальная рабочая температура:	+175 C
manufacturer	Infineon
maximum operating temperature	+175 C
минимальная рабочая температура:	-55 C
minimum operating temperature	-55 C
mounting style	Through Hole
number of channels	1 Channel
package / case	TO-220-3
packaging	Tube
part # aliases	SP001570828
pd - power dissipation	230 W
pd - рассеивание мощности:	230 W
подкатегория:	MOSFETs
полярность транзистора:	N-Channel
product category	MOSFET
product type	MOSFET
производитель:	infineon
qg - gate charge	142 nC
qg - заряд затвора:	142 nC
размер фабричной упаковки:	50
rds on - drain-source resistance	2.75 mOhms
rds вкл - сопротивление сток-исток:	2.75 mOhms
rise time	105 ns
subcategory	MOSFETs
technology	Si
технология:	Si
типичное время задержки при включении:	15 ns
типичное время задержки выключения:	82 ns
тип продукта:	MOSFET
тип транзистора:	1 N-Channel
торговая марка:	infineon/ir
tradename	StrongIRFET
transistor polarity	N-Channel
transistor type	1 N-Channel
typical turn-off delay time	82 ns
typical turn-on delay time	15 ns
упаковка:	Tube
упаковка / блок:	TO-220-3
vds - drain-source breakdown voltage	60 V
vds - напряжение пробоя сток-исток:	60 V
vgs - gate-source voltage	20 V
vgs - напряжение затвор-исток:	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage	3.7 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	3.7 V
вид монтажа:	Through Hole
время нарастания:	105 ns
время спада:	84 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки