IRFB3006GPBF, MOSFET N-Ch 60V 270A HEXF,Транзистор

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFB3006GPBF
IRFB3006GPBF, MOSFET N-Ch 60V 270A HEXF,Транзистор
Infineon
Вес и габариты
вес, г1.998
Высота 16.51 мм
Информация о производителе
ПроизводительInfineon
Основные
490
+
Бонус: 9.8 !
Бонусная программа
Итого: 490
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы. MOSFET-транзисторы, Infineon
Вес и габариты
вес, г1.998
Высота 16.51 мм
Информация о производителе
ПроизводительInfineon
Основные
число контактов3
длина10.67мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+175 °C
максимальное напряжение сток-исток60 В
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности375 Вт
максимальное сопротивление сток-исток2,5 мΩ
максимальный непрерывный ток стока270 A
материал транзистораКремний
maximum gate threshold voltage4V
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage2V
номер каналаПоднятие
размеры10.67 x 4.83 x 16.51мм
серияHEXFET
типичная входная емкость при vds8970 пФ при 25 В
типичное время задержки включения16 ns
типичное время задержки выключения118 нс
типичный заряд затвора при vgs200 нКл при 10 В
тип каналаN
тип корпусаTO-220AB
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
transistor configurationОдинарный
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль