IRF820APBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 50Вт, TO220AB

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал, 500 В, 2,5 А (Tc), 50 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220AB

Подробное описание

Основные
вес, г	2
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Все характеристики

240 ₽

– +

Бонус: 4.8 !

Бонусная программа

Итого: 240 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	2
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-220-3
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
supplier device package	TO-220AB
pin count	3
product category	Power MOSFET
automotive	No
eu rohs	compliant
lead shape	Through Hole
maximum operating temperature (°c)	150
mounting	Through Hole
part status	active
pcb changed	3
ppap	No
standard package name	TO-220
supplier package	TO-220AB
base product number	IRF820 ->
eccn (us)	ear99
maximum power dissipation (mw)	50000
minimum operating temperature (°c)	-55
configuration	Single
Вес и габариты
number of elements per chip	1
channel type	N
technology	MOSFET (Metal Oxide)
other related documents	http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
tab	Tab
channel mode	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	2.5
maximum drain source resistance (mohm)	3000 10V
maximum drain source voltage (v)	500
maximum gate source voltage (v)	±30
typical fall time (ns)	13
typical gate charge @ 10v (nc)	17(Max)
typical gate charge @ vgs (nc)	17(Max)10V
typical input capacitance @ vds (pf)	340 25V
typical rise time (ns)	12
typical turn-off delay time (ns)	16
typical turn-on delay time (ns)	8.1
current - continuous drain (id) @ 25в°c	2.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	500V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	17nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	340pF @ 25V
power dissipation (max)	50W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs (max)	В±30V
vgs(th) (max) @ id	4.5V @ 250ВµA

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

IRF820APBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 1,6А, 50Вт, TO220AB

Похожие товары Сравнить все