IRF3007PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 200Вт, TO220AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRF3007PBF
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC
Основные
вес, г1.94
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC
Основные
вес, г1.94
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
длина10 mm
время нарастания80 ns
время спада49 ns
pd - рассеивание мощности200 W
другие названия товара №SP001571144
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки80 A
qg - заряд затвора89 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток12.6 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток75 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения55 ns
типичное время задержки при включении12 ns
Высота 15.65 мм
ТипAutomotive MOSFET
Ширина4.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль