IPS80R900P7, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,9А, 45Вт, IPAK SL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPS80R900P7AKMA1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор
Основные
вес, г1
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор
Основные
вес, г1
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокIPAK-SL-3
серияCoolMOS P7
время нарастания8 ns
время спада20 ns
коммерческое обозначениеCoolMOS
pd - рассеивание мощности45 W
другие названия товара №IPS80R900P7 SP001633526
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки6 A
qg - заряд затвора15 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток770 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения40 ns
типичное время задержки при включении12 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль