IPP048N12N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 120В, 120А, 300Вт, PG-TO220-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPP048N12N3GXKSA1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 120 В 100 A (Tc) 300 Вт (Tc) сквозное отверстие PG-TO220-3-1
Основные
вес, г2.09
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
800
+
Бонус: 16 !
Бонусная программа
Итого: 800
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTN-канал 120 В 100 A (Tc) 300 Вт (Tc) сквозное отверстие PG-TO220-3-1
Основные
вес, г2.09
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packagePG-TO220-3-1
seriesOptiMOSв„ў ->
base product numberIPP048 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c100A (Tc)
drain to source voltage (vdss)120V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs182nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds12000pF @ 60V
power dissipation (max)300W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs4.8mOhm @ 100A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 230ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль