IPP042N03LGXKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 30В, 70А, 79Вт, PG-TO220-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPP042N03LGXKSA1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
Основные
вес, г2.08
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
Основные
вес, г2.08
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияOptiMOS 3
reach statusREACH Unaffected
supplier device packagePG-TO220-3
длина10 mm
время нарастания5.6 ns
время спада4.4 ns
коммерческое обозначениеOptiMOS
pin count3
packagingTube
product categoryPower MOSFET
seriesOptiMOSв„ў ->
pd - рассеивание мощности79 W
другие названия товара №G IPP042N03L IPP42N3LGXK SP000680792
количество каналов1 Channel
automotiveNo
eu rohsCompliant
maximum operating temperature (°c)175
mountingThrough Hole
part statusActive
pcb changed3
ppapNo
standard package nameTO-220
supplier packageTO-220
base product numberIPP042 ->
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)79000
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
process technologyOptiMOS
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
конфигурацияSingle
channel typeN
technologyMOSFET (Metal Oxide)
tabTab
id - непрерывный ток утечки70 A
qg - заряд затвора18 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток3.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.44 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения28 ns
типичное время задержки при включении7.4 ns
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)70
maximum drain source resistance (mohm)4.2 10V
maximum drain source voltage (v)30
maximum gate source voltage (v)±20
typical fall time (ns)4.4
typical gate charge @ vgs (nc)18 4.5V
typical input capacitance @ vds (pf)2900 15V
typical rise time (ns)5.6
typical turn-off delay time (ns)28
typical turn-on delay time (ns)7.4
current - continuous drain (id) @ 25в°c70A (Tc)
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs38nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds3900pF @ 15V
power dissipation (max)79W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs4.2mOhm @ 30A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id2.2V @ 250ВµA
Высота 15.65 мм
Ширина4.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль