IPL65R1K5C6SATMA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 3А, 26,6Вт, PG-VSON-4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPL65R1K5C6SATMA1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6
Основные
вес, г2
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
400
+
Бонус: 8 !
Бонусная программа
Итого: 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6
Основные
вес, г2
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки5000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаInfineon Technologies
упаковка / блокThinPAK-56-8
серияCoolMOS C6
длина6 mm
время нарастания5.9 ns
время спада18.2 ns
коммерческое обозначениеCoolMOS
pd - рассеивание мощности26.6 W
другие названия товара №IPL65R1K5C6S SP001163086
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки3 A
qg - заряд затвора11 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток1.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения33 ns
типичное время задержки при включении7.7 ns
Высота 1.1 мм
Ширина5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль