IPD075N03LGATMA1, Транзистор N-MOSFET 30В 50A [PG-TO252-3]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPD075N03LGATMA1
IPD075N03LGATMA1, Транзистор N-MOSFET 30В 50A [PG-TO252-3]
Вес и габариты
вес, г0.4
Высота 2.3 мм
Основные
длина6.5 mm
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 30V 50A DPAK-2
Вес и габариты
вес, г0.4
Высота 2.3 мм
Основные
длина6.5 mm
другие названия товара №IPD075N03L G SP000680634
id - непрерывный ток утечки50 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеOptiMOS
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.61 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности47 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора18 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток6.3 mOhms
серияOptiMOS 3
технологияSi
типичное время задержки при включении4.3 ns
типичное время задержки выключения17 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
упаковка / блокTO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания3.6 ns
время спада2.8 ns
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль