IPAN70R900P7S, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 3,5А, 17,9Вт, TO220FP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPAN70R900P7SXKSA1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор CONSUMER
Основные
вес, г1.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор CONSUMER
Основные
вес, г1.5
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
время нарастания4.7 ns
время спада31 ns
количество выводов3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности17.9 W
другие названия товара №IPAN70R900P7S SP001703476
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность17.9Вт
power dissipation17.9Вт
напряжение истока-стока vds700В
id - непрерывный ток утечки6 A
qg - заряд затвора6.8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток740 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток700 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения58 ns
типичное время задержки при включении12 ns
стиль корпуса транзистораTO-220FP
непрерывный ток стока
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.74Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораThrough Hole
drain source on state resistance0.74Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль