IPA65R650CEXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 7А, 28Вт, TO220FP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPA65R650CEXKSA1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-Ch 650V TO-220FP-3
Основные
вес, г2.14
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
330
+
Бонус: 6.6 !
Бонусная программа
Итого: 330
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор N-Ch 650V TO-220FP-3
Основные
вес, г2.14
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияCoolMOS CE
длина10.65 mm
время нарастания8 ns
время спада11 ns
коммерческое обозначениеCoolMOS
pd - рассеивание мощности28 W
другие названия товара №IPA65R650CE SP001295804
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки10.1 A
qg - заряд затвора23 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток650 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения64 ns
типичное время задержки при включении10 ns
Высота 16.15 мм
Ширина4.85 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль