IPA65R190C7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 8А, 30Вт, TO220FP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IPA65R190C7XKSA1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор HIGH POWER BEST IN CLASS
Основные
вес, г3.2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
640
+
Бонус: 12.8 !
Бонусная программа
Итого: 640
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор HIGH POWER BEST IN CLASS
Основные
вес, г3.2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
серияCoolMOS C7
длина10.65 mm
время нарастания11 ns
время спада9 ns
коммерческое обозначениеCoolMOS
pd - рассеивание мощности30 W
другие названия товара №IPA65R190C7 SP001080140
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки8 A
qg - заряд затвора23 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток168 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения54 ns
типичное время задержки при включении11 ns
Высота 16.15 мм
Ширина4.85 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль