РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Screw Mount
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
подкатегория	Transistors
размер фабричной упаковки	50

183 800 ₽

– +

Бонус: 3676 !

Бонусная программа

Итого: 183 800 ₽

Купить

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W

Основные
вид монтажа	Screw Mount
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
подкатегория	Transistors
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	RF JFET Transistors
торговая марка	Wolfspeed / Cree
упаковка / блок	H-36248-2
выходная мощность	600 W
Вес и габариты
технология	GaN-on-SiC
усиление	18 dB
рабочая частота	1.2 GHz to 1.4 GHz
id - непрерывный ток утечки	10 A
vds - напряжение пробоя сток-исток	150 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	HEMT
vds - напряжение пробоя затвор-исток	10 V to 2 V

Отзывов нет

Кнопки