РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Flange Mount
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
подкатегория	Transistors
размер фабричной упаковки	50

169 000 ₽

– +

Бонус: 3380 !

Бонусная программа

Итого: 169 000 ₽

Купить

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W

Основные
вид монтажа	Flange Mount
категория продукта	РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
подкатегория	Transistors
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	RF JFET Transistors
торговая марка	Wolfspeed / Cree
упаковка / блок	H-37265J-2
выходная мощность	400 W
средства разработки	LTN/GTVA104001FA-V1
Вес и габариты
технология	GaN-on-SiC
усиление	19 dB
рабочая частота	960 MHz to 1.215 GHz
id - непрерывный ток утечки	4.6 A
vds - напряжение пробоя сток-исток	150 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	HEMT
vds - напряжение пробоя затвор-исток	10 V to 2 V

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

GTVA104001FA-V1-R0