FQPF6N80C, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,2А, 51Вт, TO220FP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQPF6N80C
МОП-транзистор 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
480
+
Бонус: 9.6 !
Бонусная программа
Итого: 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
серияFQPF6N80C
длина10.36 mm
время нарастания65 ns
время спада44 ns
коммерческое обозначениеQFET
pd - рассеивание мощности51 W
другие названия товара №FQPF6N80C_NL
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки5.5 A
rds вкл - сопротивление сток-исток2.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.5.4 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения47 ns
типичное время задержки при включении26 ns
Высота 16.07 мм
ТипMOSFET
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль