FQP32N20C, Транзистор полевой, МОП, n-канальный, 200В, 17,8А, 156Вт, TO220,

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQP32N20C
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 200V N-Channel Advance Q-FET
Основные
вес, г2.05
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
360
+
Бонус: 7.2 !
Бонусная программа
Итого: 360
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 200V N-Channel Advance Q-FET
Основные
вес, г2.05
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияFQP32N20C
длина10.67 mm
время нарастания270 ns
время спада210 ns
линейка продукцииQFET
коммерческое обозначениеQFET
количество выводов3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности156 W
другие названия товара №FQP32N20C_NL
количество каналов1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность156Вт
power dissipation156Вт
напряжение истока-стока vds200В
id - непрерывный ток утечки28 A
qg - заряд затвора110 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток82 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.20 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения245 ns
типичное время задержки при включении25 ns
стиль корпуса транзистораTO-220
непрерывный ток стока28А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.068Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистораThrough Hole
drain source on state resistance0.068Ом
Высота 16.3 мм
ТипMOSFET
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль